ОБЩИЙ ВИД

НАЗНАЧЕНИЕ УСТАНОВКИ

Формирование на поверхностях полупроводниковых, кварцевых, стеклянных и керамических пластин фоторезистивных/полимерных пленок заданной толщины.

СОБЕННОСТЬ УСТАНОВКИ: загрузка-выгрузка пластины на модули – ручная, дальнейшая ее обработка – автоматическая.

ПОТРЕБИТЕЛЬСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ УСТАНОВКИ

Размер обрабатываемых пластин, мм
- прямоугольные от 60×48 до 125×125
- круглые 40÷150
Толщина обрабатываемых пластин, мм 0,5-2,0
Привносимая дефектность для частиц размером > 0,2 мкм < 0,1 деф./см2
Среднее время наработки на отказ (MTBF), час 500
Среднее время ремонта (MTTR), час 1
Габариты установки, мм (Ш×Г×В) 1250×750×2100

СОСТАВ УСТАНОВКИ:

  • модуль нанесения фоторезиста
  • модуль термообработки (сушки) после нанесения
  • блок электрический
  • система управления установкой
  • система термостабилизации (терморегулирования) фоторезиста
  • защитный бокс*.

* Конструкция пылезащитного бокса позволяет установить на нем фильтровентиляционный блок с габаритными размерами: (В×Ш×Г): 1325×1220×700 мм, создающий однонаправленный ламинарный поток воздуха в рабочем объеме бокса.

Пылезащитный бокс с фильтровентиляционным блоком обеспечивает класс чистоты 5 ИСО по ГОСТ ИСО 14644-1-2002 в зоне обработки пластин.

ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ВОЗМОЖНОСТИ УСТАНОВКИ:

  • подача раствора полимера на пластину в статическом и динамическом режимах (сканирование)
  • подача раствора полимера в любую заданную точку пластины
  • подача раствора полимера дозатором
  • стабилизация и регулирование температуры раствора полимера
  • удаление аэрозоля полимера с обратной стороны пластин
  • удаление полимера с торца пластин
  • удаление краевого валика
  • автоматическая промывка ванны растворителем
  • термообработка пластин на «горячей плите» контактным методом

ОСНОВНЫЕ ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ УСТАНОВКИ:

Диапазон задания частоты вращения, об/мин 1÷10000
Точность поддержания частоты вращения, % ±0,01
Диапазон задания ускорения, об/мин/с 100÷20000
Дискретность задания частоты вращения, об/мин 10
Дискретность задания ускорения, об/мин/с 100
Диапазон регулирования температуры фоторезиста,°С 18-50 ±0,1
Дискретность задания времени обработки, с 1,0
Диапазон задания времени обработки, с 1,0-999
Диапазон задания температуры «горячей плиты»,°С 70±200
Точность поддержания температуры «горячей плиты»:
70-120°С ±0,3°С
120-150°С ±0,5°С
150-200°С ±1,0°С
Диапазон дозирования фоторезиста, мл 0,5-5,0
Точность дозирования, мл ±0,1
Потребляемая мощность, не более, кВт 2,5

СИСТЕМА УПРАВЛЕНИЯ УСТАНОВКОЙ

  1. Система управления – на базе микроконтроллера с выводом информации на ЖК дисплей.
  2. Система управления обеспечивает:
    • диагностику работоспособности установки
    • хранение в памяти не менее 5 программ различных циклов обработки объекта
    • мониторинг и регулирование технологического процесса в реальном масштабе времени.

ДЛЯ РАБОТЫ УСТАНОВКА ПОДКЛЮЧАЕТСЯ:

  • к сети переменного тока напряжением 220 В, частотой 50 Гц; нормы качества электроэнергии по ГОСТ 13109-87
  • сети сжатого, обеспыленного воздуха с давлением 0,4-0,6 МПа
  • вытяжной вентиляции, с производительностью не менее 50 м3/час
  • сети технической воды с температурой не более 14-16 °С
  • сети сливной канализации
  • контуру заземления

Установка удовлетворяет требованиям для эксплуатации в «чистых помещениях» класса Р5 (100) по ГОСТ Р 50 766-95. Конструкция узлов и деталей удобна для промывки и очистки.