ОБЩИЙ ВИД
НАЗНАЧЕНИЕ УСТАНОВКИ
Формирование на поверхностях полупроводниковых, кварцевых, стеклянных и керамических пластин фоторезистивных/полимерных пленок заданной толщины.
СОБЕННОСТЬ УСТАНОВКИ: загрузка-выгрузка пластины на модули – ручная, дальнейшая ее обработка – автоматическая.
ПОТРЕБИТЕЛЬСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ УСТАНОВКИ
Размер обрабатываемых пластин, мм | |
- прямоугольные | от 60×48 до 125×125 |
- круглые | 40÷150 |
Толщина обрабатываемых пластин, мм | 0,5-2,0 |
Привносимая дефектность для частиц размером > 0,2 мкм | < 0,1 деф./см2 |
Среднее время наработки на отказ (MTBF), час | 500 |
Среднее время ремонта (MTTR), час | 1 |
Габариты установки, мм (Ш×Г×В) | 1250×750×2100 |
СОСТАВ УСТАНОВКИ:
- модуль нанесения фоторезиста
- модуль термообработки (сушки) после нанесения
- блок электрический
- система управления установкой
- система термостабилизации (терморегулирования) фоторезиста
- защитный бокс*.
* Конструкция пылезащитного бокса позволяет установить на нем фильтровентиляционный блок с габаритными размерами: (В×Ш×Г): 1325×1220×700 мм, создающий однонаправленный ламинарный поток воздуха в рабочем объеме бокса.
Пылезащитный бокс с фильтровентиляционным блоком обеспечивает класс чистоты 5 ИСО по ГОСТ ИСО 14644-1-2002 в зоне обработки пластин.
ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ВОЗМОЖНОСТИ УСТАНОВКИ:
- подача раствора полимера на пластину в статическом и динамическом режимах (сканирование)
- подача раствора полимера в любую заданную точку пластины
- подача раствора полимера дозатором
- стабилизация и регулирование температуры раствора полимера
- удаление аэрозоля полимера с обратной стороны пластин
- удаление полимера с торца пластин
- удаление краевого валика
- автоматическая промывка ванны растворителем
- термообработка пластин на «горячей плите» контактным методом
ОСНОВНЫЕ ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ УСТАНОВКИ:
Диапазон задания частоты вращения, об/мин | 1÷6000 |
Точность поддержания частоты вращения, % | ±0,01 |
Диапазон задания ускорения, об/мин/с | 100÷20000 |
Дискретность задания частоты вращения, об/мин | 10 |
Дискретность задания ускорения, об/мин/с | 100 |
Диапазон регулирования температуры фоторезиста,°С | 18-50 ±0,1 |
Дискретность задания времени обработки, с | 1,0 |
Диапазон задания времени обработки, с | 1,0-999 |
Диапазон задания температуры «горячей плиты»,°С | 70±200 |
Точность поддержания температуры «горячей плиты»: | |
70-120°С | ±0,3°С |
120-150°С | ±0,5°С |
150-200°С | ±1,0°С |
Диапазон дозирования фоторезиста, мл | 0,5-5,0 |
Точность дозирования, мл | ±0,1 |
Потребляемая мощность, не более, кВт | 2,5 |
СИСТЕМА УПРАВЛЕНИЯ УСТАНОВКОЙ
- Система управления – на базе микроконтроллера с выводом информации на ЖК дисплей.
- Система управления обеспечивает:
- диагностику работоспособности установки
- хранение в памяти не менее 5 программ различных циклов обработки объекта
- мониторинг и регулирование технологического процесса в реальном масштабе времени.
ДЛЯ РАБОТЫ УСТАНОВКА ПОДКЛЮЧАЕТСЯ:
- к сети переменного тока напряжением 220 В, частотой 50 Гц; нормы качества электроэнергии по ГОСТ 13109-87
- сети сжатого, обеспыленного воздуха с давлением 0,4-0,6 МПа
- вытяжной вентиляции, с производительностью не менее 50 м3/час
- сети технической воды с температурой не более 14-16 °С
- сети сливной канализации
- контуру заземления
Установка удовлетворяет требованиям для эксплуатации в «чистых помещениях» класса Р5 (100) по ГОСТ Р 50 766-95. Конструкция узлов и деталей удобна для промывки и очистки.