ОБЩИЙ ВИД
НА ПРОИЗВОДСТВЕ
НАЗНАЧЕНИЕ
Формирование на поверхностях подложек фоторезистивных/полимерных плёнок заданной толщины.
ХАРАКТЕРИСТИКИ ОБРАБАТЫВАЕМЫХ ОБЪЕКТОВ
Форма обрабатываемых объектов | круг, квадрат |
Материал объектов | кварц, стекло, керамика, полупроводниковые материалы |
Максимальный наружный диаметр, мм | 100 |
Максимальная сторона квадрата, мм | 60 |
Минимальный наружный диаметр, мм | 20 |
Минимальная сторона квадрата, мм | 20 |
Максимальная толщина, мм | 2 |
Минимальная толщина, мм | 0,5 |
Загрузка-выгрузка пластины на модули – ручная, дальнейшая её обработка – автоматическая.
Установка комплектуется набором сменных держателей для обработки подложек согласованного с Заказчиком размера.
СОСТАВ УСТАНОВКИ:
- модуль нанесения фоторезиста
- модуль термообработки (сушки) после нанесения
- модуль охлаждения/термостабилизации
- блок электрический
- система управления установкой
- система автоматического дозирования фоторезиста
- пылезащитный ламинарный бокс (пылезащитный бокс обеспечивает класс чистоты 5 ИСО по ГОСТ ИСО 14644-1-2002 в зоне обработки подложек)
ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ВОЗМОЖНОСТИ:
- формирование фотрезистивных пленок заданной толщины
- автоматическое дозирование фоторезиста
- подача фоторезиста на подложку в статическом и динамическом режимах (сканирование)
- термообработка подложек на «горячей плите» контактным методом
- термообработка подложек в контролируемой среде при разряжении
- охлаждение и термостабилизации подложек после термообработки
ОСНОВНЫЕ ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
Габариты установки, мм (Ш×Г×В) | 1300×760×2100 |
Диапазон задания частоты вращения, об/мин | 0,5-6000 |
Точность поддержания частоты вращения, % | ±0,01 |
Диапазон задания ускорения, об/мин/с | 100-20000 |
Дискретность задания частоты вращения, об/мин | 10 |
Дискретность задания ускорения, об/мин/с | 100 |
Дискретность задания времени обработки, сек | 1,0 |
Диапазон задания времени обработки, сек | 1,0-999 |
Диапазон задания температуры «горячей плиты»,°С | 70-200 |
Диапазон дозирования фоторезиста, мл | 0,5-5,0 |
Точность дозирования фоторезиста | ±0,1 |
Точность поддержания температуры «горячей плиты»: | |
70-120 °С | ±0,3 °С |
120-150 °С | ±0,5 °С |
150-200 °С | ±1,0 °С |
Потребляемая мощность, не более, кВт | 1,5 |
СИСТЕМА УПРАВЛЕНИЯ УСТАНОВКОЙ
Система управления – на базе микроконтроллера с выводом информации на ЖК дисплей. Она обеспечивает:
- диагностику работоспособности установки
- хранение в памяти не менее 5 программ различных циклов обработки объекта
- мониторинг и регулирование технологического процесса в реальном масштабе времени
ДЛЯ РАБОТЫ УСТАНОВКА ПОДКЛЮЧАЕТСЯ:
- к сети переменного тока напряжением 220 В, частотой 50 Гц; нормы качества электроэнергии по ГОСТ 13109-87
- сети сжатого, обеспыленного воздуха с давлением 0,4-0,6 МПа
- сети вакуума с давлением не более 350 мм. рт. ст.
- вытяжной вентиляции, с производительностью не менее 1500м3 /час
- сети технической воды с температурой не более 14-16 °С
- сети сливной канализации
- контуру заземления
Установка удовлетворяет требованиям для эксплуатации в «чистых помещениях» класса Р5 (100) по ГОСТ Р 50 766-95. Конструкция узлов и деталей удобна для промывки и очистки.