ОБЩИЙ ВИД

НАЗНАЧЕНИЕ

Формирование фоторезистивных и полимерных плёнок заданной толщины на поверхности подложек большой массы.

ХАРАКТЕРИСТИКИ ОБРАБАТЫВАЕМЫХ ОБЪЕКТОВ

Форма обрабатываемых объектов: круг, квадрат
Материал объектов: кварц, стекло, керамика, полупроводниковые материалы
Максимальный наружный диаметр, мм 200
Максимальная сторона квадрата, мм 127
Минимальный наружный диаметр, мм 60
Минимальная сторона квадрата, мм 60
Максимальная толщина, мм 20
Минимальная толщина, мм 1
Максимальный вес обрабатываемых объектов, г 2000

* Установка комплектуется набором сменных держателей для обработки подложек согласованного с Заказчиком размера

СОСТАВ УСТАНОВКИ (БАЗОВАЯ КОМПЛЕКТАЦИЯ)

  • модуль нанесения фоторезиста; автоматическая система дозирования фоторезиста
  • система управления установкой; ёмкость для сбора отработанного фоторезиста
  • пылезащитный бокс
  • фильтро-вентиляционный блок (ФВБ)

** При отсутствии магистрали сжатого воздуха у Заказчика – воздушный компрессор с давлением 0,4-0,6 МПа

ОСОБЕННОСТИ УСТАНОВКИ

  • ручная загрузка пластины в ванну обработки и её выгрузка
  • автоматическая подача фоторезиста на пластину, (подача производится в центр вращающейся подложки, подающее сопло закреплено неподвижно на крышке камеры центрифуги)
  • центрирование пластины на столе-подложкодержателе по механическим упорам
  • датчики уровня фоторезиста в подающей и приемной ёмкостях.

ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЕ ОПЦИИ

  • система автоматического центрирования круглых подложек
  • подвижное сопло подачи фоторезиста на манипуляторе

ДЛЯ РАБОТЫ УСТАНОВКА ПОДКЛЮЧАЕТСЯ К:

  • 3-х фазной электрической сети переменного тока напряжением 380/220 В, частотой 50 Гц; нормы качества электроэнергии по ГОСТ 13109-87
  • сети сжатого, обеспыленного воздуха с давлением 0,4-0,6 МПа
  • вытяжной вентиляции, с производительностью не менее 50 м3/час
  • сети технической воды с температурой не более 14-16 °С
  • контуру заземления

ОСНОВНЫЕ ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ УСТАНОВКИ

Диапазон задания частоты вращения, об/мин 100-3500
Точность поддержания частоты вращения, % ±0,01
Дискретность задания частоты вращения, об/мин 10
Дискретность задания времени обработки, сек 1,0
Диапазон задания времени обработки, сек 1,0-999
Диапазон дозирования фоторезиста, мл 0,5-10,0
Точность дозирования, мл ±0,1
Потребляемая мощность, не более, кВт 2,5