Формирование топологического рисунка (маски) в фоторезистивной пленке на поверхности одиночных подложек, имеющих форму прямоугольных пластин с плоскопараллельными поверхностями, круглых, в т.ч. линз, из различных материалов (кварц, стекло, полупроводники, керамика).

Формирование фоторезистивных и полимерных плёнок заданной толщины на поверхностях одиночных подложек, имеющих форму прямоугольных, квадратных пластин.

Очистка поверхности одиночных подложек, имеющих форму прямоугольных пластин с плоскопараллельными поверхностями, круглых, в т.ч. линз, из различных материалов (кварц, стекло, полупроводники, керамика).

Формирование на поверхностях полупроводниковых, кварцевых, стеклянных и керамических пластин фоторезистивных/полимерных пленок заданной толщины.

Очистка одиночных подложек, прямоугольной, круглой или любой другой произвольной формы из различных материалов (кварц, стекло, полупроводники, керамика и т.д.) с максимальным размером 350×350×180 мм в плазме кислорода и/или аргона.

Объемная химическая обработка кварцевых, стеклянных, керамических пластин в различных химических реактивах с последующей промывкой в деионизованной воде.

Формирование фоторезистивных и полимерных плёнок заданной толщины на поверхности подложек большой массы

Стерилизация парами перекиси водорода при пониженной температуре (до 600 ºС) изделий медицинского назначения (в том числе термолабильных) и инструмента, как перед длительным хранением, так и непосредственно перед использованием.

Формирование на круглой пластине из раствора полимера плёнки с заданными значениями толщины и разнотолщинности.

Формирование плёнок заданной толщины из растворов органических и неорганических полимеров на гладких и рельефных поверхностях пластин круглой и прямоугольной формы. Нанесение пленкообразующих растворов для получения «spin-on glass» пленок.

Формирование на поверхностях подложек фоторезистивных/полимерных плёнок заданной толщины.

Нагрев подложек различной формы. Материал подложек: кварц, стекло, полупроводники, керамика и т.д.